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dc.contributor.authorPu, Jiang
dc.contributor.authorEdagawa, Yusuke
dc.contributor.authorMitamura, Masaya
dc.contributor.authorKawai, Hideki
dc.contributor.authorLi, Lain-Jong
dc.contributor.authorYomogida, Yohei
dc.contributor.authorYanagi, Kazuhiro
dc.contributor.authorIto, Hiroshi
dc.contributor.authorTakenobu, Taishi
dc.date.accessioned2021-02-28T10:54:09Z
dc.date.available2021-02-28T10:54:09Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.doi10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1807
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10754/667700
dc.description.abstract二硫化モリブデン(MoS_2_)は古くから化学ドーピングによる相制御の研究が行われてきた。特に最近では、剥離法により分離された薄膜試料において、超伝導転移の電界制御も報告されている。これら興味深い物性は現状単結晶試料を用いて実現されているが、多結晶薄膜における伝導特性は未解明である。そこで今回我々は、化学気相成長した多結晶MoS_2_単層膜と電解質を用いたトランジスタ構造を組み合わせ、キャリア数を連続的に制御しながら電気伝導特性を評価した。その結果、高密度キャリア蓄積下において、 1.9Kまで金属伝導を観測した。当日は磁気抵抗特性や超伝導転移の可能性についても議論する。
dc.relation.urlhttps://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/72.1/0/72.1_1807/_article/-char/en
dc.relation.urlhttps://www.jstage.jst.go.jp/article/jpsgaiyo/72.1/0/72.1_1807/_article/-char/ja/
dc.titleElectric-field-induced insulator-to-metal transition in polycrystalline MoS2 monolayers
dc.title多結晶MoS2単層膜における電界誘起金属-絶縁体転移
dc.typePresentation
dc.contributor.departmentMaterial Science and Engineering Program
dc.contributor.departmentPhysical Science and Engineering (PSE) Division
dc.conference.dateMarch 17, 2017 - March 20, 2017
dc.conference.name2017 Annual (72nd) Meeting of the Physical Society of Japan
dc.eprint.versionPre-print
dc.contributor.institutionWaseda Univ.
dc.contributor.institutionNagoya Univ.
dc.contributor.institutionTokyo Metropolitan Univ.
kaust.personLi, Lain-Jong
refterms.dateFOA2021-02-28T10:54:09Z


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